[发明专利]层合膜及使用其的半导体制造用膜有效
| 申请号： | 201180036822.X | 申请日： | 2011-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN103026469A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 青山正贵;森本厚司;一关主税;广中芳孝 | 申请（专利权）人： | 三井-杜邦聚合化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C09J7/02;H01L21/301 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;王大方 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种耐热性及应力缓和性优异、适于作为半导体制造用膜的构成部件的层合膜。本发明涉及层合膜(10)，该层合膜(10)具有包括最外层(6)的两层以上的层合结构，最外层(6)由含有熔点为98℃以上的热塑性树脂的热塑性树脂组合物形成；最外层(6)以外的至少一层(第二层(3))由含有不饱和羧酸含量为17质量％以上的乙烯·不饱和羧酸共聚物或其离子交联聚合物的树脂组合物形成。 | ||
| 搜索关键词： | 层合膜 使用 半导体 制造 | ||
【主权项】：
一种层合膜，具有包括最外层的两层以上的层合结构，所述最外层由含有熔点为98℃以上的热塑性树脂的热塑性树脂组合物形成；所述最外层以外的至少一层由至少含有不饱和羧酸含量为17质量％以上的乙烯·不饱和羧酸共聚物及所述乙烯·不饱和羧酸共聚物的离子交联聚合物中任一方的树脂组合物形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
