[发明专利]基板加工方法有效

专利信息
申请号: 201180036884.0 申请日: 2011-07-19
公开(公告)号: CN103025478A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 下井英树;荒木佳祐 申请(专利权)人: 浜松光子学株式会社
主分类号: B23K26/38 分类号: B23K26/38;B23K26/00;B23K26/04;H01L21/306
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种用于将沿着规定的线(12)的空间形成于硅基板(11)的基板加工方法,具备:通过将作为椭圆率为1以外的椭圆偏振光的激光(L)聚光于硅基板(11),从而使多个改质点(S)沿着线(12)而形成于硅基板(11)的内部,形成包含多个改质点(S)的改质区域(7)的第1工序;以及在第1工序之后,通过对硅基板(11)施以各向异性蚀刻处理,从而使蚀刻沿着改质区域(7)选择性地进展,在硅基板(11)形成空间的第2工序;在第1工序中,以使相对于硅基板(11)的激光(L)的移动方向与激光(L)的偏振光方向所成的角度小于45°的方式将激光(L)聚光于硅基板(11),以沿着线(12)排列成多列的方式形成多个改质点(S)。
搜索关键词: 加工 方法
【主权项】:
一种基板加工方法,其特征在于,是用于将沿着规定的线的空间形成于硅基板的基板加工方法,具备:通过将作为椭圆率为1以外的椭圆偏振光的激光聚光于所述硅基板,从而使多个改质点沿着所述线而形成于所述硅基板的内部,形成包含多个所述改质点的改质区域的第1工序;以及在所述第1工序之后,通过对所述硅基板施以各向异性蚀刻处理,使蚀刻沿着所述改质区域选择性地进展,在所述硅基板形成所述空间的第2工序,在所述第1工序中,以使所述激光相对于所述硅基板的移动方向与所述激光的偏振光方向所成的角度小于45°的方式将所述激光聚光于所述硅基板,以沿着所述线排列成多列的方式形成多个所述改质点。
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