[发明专利]具有二维电子气和二维空穴气的半导体器件有效
申请号: | 201180036891.0 | 申请日: | 2011-06-07 |
公开(公告)号: | CN103098221A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | A·中岛;S·N·E·马达蒂尔 | 申请(专利权)人: | 谢菲尔德大学 |
主分类号: | H01L29/872 | 分类号: | H01L29/872;H01L29/778;H01L29/10;H01L27/095 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 英国谢*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | 一种包括三个半导体层的半导体器件。所述半导体层布置为形成由极化层隔开的2DHG和2DEG。所述器件包括多个电极:第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极电连接到所述2DHG,以使电流能够通过所述2DHG在所述第一电极和所述第二电极之间流动;以及第三电极,所述第三电极电连接到所述2DEG,从而当相对于其他电极中的至少一个的正电压被施加到所述第三电极时,所述2DEG和所述2DHG将至少部分地耗尽。 | ||
搜索关键词: | 具有 二维 电子 空穴 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:三个半导体层;其中,所述半导体层被布置为形成通过极化层隔开的2DHG和2DEG,多个电极,所述多个电极包括:第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极电连接到所述2DHG,以使电流能够通过所述2DHG在所述第一电极和所述第二电极之间流动;以及第三电极,所述第三电极电连接到所述2DEG,从而当相对于其他电极中的至少一个的正电压被施加到所述第三电极时,所述2DHEG和所述2DHG将至少部分地耗尽。
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