[发明专利]具有二维电子气和二维空穴气的半导体器件有效

专利信息
申请号: 201180036891.0 申请日: 2011-06-07
公开(公告)号: CN103098221A 公开(公告)日: 2013-05-08
发明(设计)人: A·中岛;S·N·E·马达蒂尔 申请(专利权)人: 谢菲尔德大学
主分类号: H01L29/872 分类号: H01L29/872;H01L29/778;H01L29/10;H01L27/095
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 英国谢*** 国省代码: 英国;GB
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种包括三个半导体层的半导体器件。所述半导体层布置为形成由极化层隔开的2DHG和2DEG。所述器件包括多个电极:第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极电连接到所述2DHG,以使电流能够通过所述2DHG在所述第一电极和所述第二电极之间流动;以及第三电极,所述第三电极电连接到所述2DEG,从而当相对于其他电极中的至少一个的正电压被施加到所述第三电极时,所述2DEG和所述2DHG将至少部分地耗尽。
搜索关键词: 具有 二维 电子 空穴 半导体器件
【主权项】:
一种半导体器件,包括:三个半导体层;其中,所述半导体层被布置为形成通过极化层隔开的2DHG和2DEG,多个电极,所述多个电极包括:第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极电连接到所述2DHG,以使电流能够通过所述2DHG在所述第一电极和所述第二电极之间流动;以及第三电极,所述第三电极电连接到所述2DEG,从而当相对于其他电极中的至少一个的正电压被施加到所述第三电极时,所述2DHEG和所述2DHG将至少部分地耗尽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于谢菲尔德大学,未经谢菲尔德大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180036891.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code