[发明专利]制造纳米压印模具的方法、利用由此制造的纳米压印模具制造发光二极管的方法以及由此制造的发光二极管

摘要

本发明涉及制造纳米压印模具的方法、使用该纳米压印模具的发光二极管以及制造发光二极管的方法。本发明的制造发光二极管的方法包括：在临时基板上形成n型氮化物半导体层、发光层和p型氮化物半导体层的步骤；在p型氮化物半导体层上形成p型电极的步骤；在p型电极上形成导电基板的步骤；通过去除临时基板而露出n型氮化物半导体层的步骤；在n型氮化物半导体层上形成纳米压印抗蚀剂层的步骤；通过将纳米压印模具按压在纳米压印抗蚀剂层上来将纳米图案转印到纳米压印抗蚀剂层上的步骤；将纳米压印模具与具有纳米图案的纳米压印抗蚀剂层分离开的步骤；以及通过刻蚀具有纳米图案的纳米压印抗蚀剂层的一部分来形成n型电极的步骤。本发明得到了一种制造可以有效地并经济地形成用于增强发光二极管的光提取效率的纳米压印模具的方法、制造发光二极管的方法以及利用纳米压印模具的发光二极管。

主权项

一种制造纳米压印模具的方法，所述方法包括以下步骤：在氮化物半导体基板的一个表面上形成支承所述氮化物半导体基板的支承基板；通过湿法刻蚀在所述氮化物半导体基板的另一表面上形成金字塔形的纳米图案，在所述湿法刻蚀中，将包括所述支承基板的所述氮化物半导体基板浸入从氢氧化钙溶液和氢氧化钠溶液中选择的一种刻蚀剂中，以在所述氮化物半导体基板上照射紫外线；以纳米压印的方式将形成在所述氮化物半导体基板的所述另一表面上的所述金字塔形的纳米图案转印到所述纳米压印模具上；以及将上面形成有所述金字塔形的纳米图案的所述纳米压印模具与所述氮化物半导体基板分离开。