[发明专利]薄膜晶体管的半导体层用氧化物和溅射靶以及薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201180037189.6 | 申请日： | 2011-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN103038888B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 森田晋也;三木绫;岩成裕美;钉宫敏洋;安野聪;朴在佑;李制勋;安秉斗 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/363 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 翟赟琪 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种薄膜晶体管的开关特性优异，特别是在保护膜形成后也可以稳定获得良好的特性的薄膜晶体管半导体用氧化物。本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物，是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，所述氧化物含有Zn、Sn和Si。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 半导体 氧化物 溅射 以及 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的半导体层用氧化物，其特征在于，是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，其中，所述氧化物含有Zn、Sn和Si，其中，在将所述氧化物中所含的Si、Zn和Sn的原子百分比含量分别设为[Si]、[Zn]和[Sn]时，[Si]/([Zn]+[Sn]+[Si])的比为0.01以上0.1以下，所述半导体层的迁移率在线性区为15cm2/Vs以上。
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