[发明专利]同位素生成靶在审
| 申请号： | 201180037251.1 | 申请日： | 2011-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN103038831A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | S·R·里斯;T·S·帕尔默;S·T·凯勒;M·蒙克 | 申请（专利权）人： | 由俄勒冈州高等教育管理委员会代表的俄勒冈州立大学 |
| 主分类号： | G21C3/00 | 分类号： | G21C3/00 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 王媛;钟守期 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种同位素生成靶，可包括外径壁和内径壁。同位素源可位于所述内径壁与所述外径壁之间，并且所述同位素源可包含裂变材料，所述裂变材料中散布有一个或多个空隙区域。中央区域可位于所述内径壁内，并且所述中央区域可构造为容纳中子热化体。 | ||
| 搜索关键词： | 同位素 生成 | ||
【主权项】：
一种同位素生成靶，包含：外径壁；内径壁；同位素源，其位于所述内径壁与所述外径壁之间，其中所述同位素源包含散布有一个或多个空隙区域的裂变材料；以及中央区域，其位于所述内径壁内，其中所述中央区域构造为容纳中子热化体。
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