[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种不会在分离时由于化合物半导体层的内部应力而生成化合物半导体层裂纹的半导体元件及其制造方法。一种半导体元件的制造方法，其是具备在支撑基板（30）上接合有半导体层的结构的半导体元件制造方法，其具备在生长基板（11）上经由分离层（12）来形成由半导体层构成的元件区域（15a）的元件区域形成工序、在生长基板上形成柱状物（21）的柱状物形成工序、在支撑基板接合半导体层以及柱状物上部的接合工序、通过去除分离层使半导体层下表面与生长基板分离，并且不让柱状物与生长基板分离的分离工序，以及将柱状物与支撑基板分离的工序。

主权项

一种半导体元件制造方法，其是具备在支撑基板上接合有半导体层的结构的半导体元件制造方法，其特征为具备：在生长基板上经由分离层来形成由所述半导体层构成的元件区域的元件区域形成工序、在所述生长基板上形成柱状物的柱状物形成工序、在支撑基板接合所述半导体层及所述柱状物上部的接合工序、通过去除所述分离层使所述半导体层下表面与所述生长基板分离，并且不让所述柱状物与所述生长基板分离的分离工序、将所述柱状物与所述支撑基板分离的工序。