[发明专利]场效应晶体管

摘要

本发明提供一种场效应晶体管。第一半导体层(103)至少在栅电极(106)中的漏电极(107)侧的端部的下侧的区域内具有碳浓度低于1×1017cm-3的低碳浓度区域，在将从基板(101)的上表面到包括第一半导体层(103)以及第二半导体层(104)在内的漏电极为止的半导体层的厚度设为d1(μm)、将低碳浓度区域的厚度设为d2(μm)、将工作耐压设为Vm(V)时，满足Vm/(110·d1)≤d2＜Vm/(110·d1)+0.5的关系，且在将缓和状态下的导通电阻设为Ron0、将从工作电压Vm下的截止状态过渡至导通状态的100μs后的导通电阻设为Ron时，作为电流崩塌值的指标的Ron与Ron0之比的值为Ron/Ron0≤3。

主权项

一种场效应晶体管，具备：基板；第一III族氮化物半导体层，其形成在所述基板上；第二III族氮化物半导体层，其形成在所述第一III族氮化物半导体层上，且带隙大于所述第一III族氮化物半导体层；形成在所述第二III族氮化物半导体层上的源电极及漏电极、以及形成在所述源电极与漏电极之间的栅电极；和场板，其在所述第二III族氮化物半导体层上被设置为与所述栅电极或者所述源电极连接，且覆盖所述栅电极中的所述漏电极侧的端部，所述第一III族氮化物半导体层至少在所述栅电极中的所述漏电极侧的端部的下侧区域，具有碳浓度低于1×1017cm‑3的低碳浓度区域，在将从所述基板的上表面到包括所述第一III族氮化物半导体层以及第二III族氮化物半导体层在内的所述漏电极为止的III族氮化物半导体层的厚度设为d1(μm)、将所述低碳浓度区域的厚度设为d2(μm)、将工作耐压设为Vm(V)时，满足Vm/(110·d1)≤d2＜Vm/(110·d1)+0.5的关系，且在将缓和状态下的导通电阻设为Ron0、将从工作电压Vm下的截止状态过渡至导通状态的100μs后的导通电阻设为Ron时，作为电流崩塌值的指标的Ron与Ron0之比的值为Ron/Ron0≤3。