[发明专利]用于制造光电子半导体组件的方法和光电子半导体组件

摘要

本发明提出一种用于制造光电子半导体组件的方法，其具有下述步骤：将具有pn结（104）的半导体层堆叠（101）设置在衬底（100）上，将半导体层堆叠（101）横向地结构化成第一半导体本体（1）和第二半导体本体（2）的多个对，所述第一半导体本体和第二半导体本体在横向方向上彼此间隔，从第一半导体本体（1）和第二半导体本体（2）的对中移除衬底（100），将第一半导体本体（1）和第二半导体本体（2）的至少一对施加到连接载体（3）上，所述连接载体具有电连接部位（4）和/或至少一条带状导线（5），借助于连接部位（3）和/或至少一条带状导线（4）将第一半导体本体（1）和第二半导体本体（2）对的半导体本体（1）电连接成，使得第一半导体本体（1）的pn结（104）与第二半导体本体（2）的pn结（104）反并联。

主权项

用于制造光电子半导体组件的方法，具有下述步骤：‑将具有pn结（104）的半导体层堆叠（101）设置在衬底（100）上，‑将所述半导体层堆叠（101）横向地结构化成第一半导体本体（1）和第二半导体本体（2）的多个对，所述第一半导体本体和第二半导体本体在横向方向（1）上彼此间隔，‑从第一半导体本体（1）和第二半导体本体（2）的所述对中移除所述衬底（100），‑将第一半导体本体（1）和第二半导体本体（2）的至少一对施加到连接载体（3）上，所述连接载体具有电连接部位（4）和/或至少一条带状导线（5），‑借助于所述连接部位（3）和/或所述至少一条带状导线（4）将第一半导体本体（1）和第二半导体本体（2）的对的半导体本体（1）电连接，使得所述第一半导体本体（1）的所述pn结（104）与所述第二半导体本体（2）的所述pn结（104）反并联。