[发明专利]具有氧化物半导体薄膜层的层叠结构以及薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201180037647.6 | 申请日： | 2011-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103038889A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 江端一晃;笘井重和;霍间勇辉;松崎滋夫;矢野公规 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C23C14/08;H01L21/20;H01L21/336;H01L21/363 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种层叠结构，其特征在于，其为包含氧化物层和绝缘层的层叠结构，其中，所述氧化物层的载流子浓度为1018/cm3以下，平均晶体粒径为1μm以上，所述氧化物层的晶体以柱状配置在所述绝缘层的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 氧化物 半导体 薄膜 层叠 结构 以及 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种层叠结构，其特征在于，其为包含氧化物层和绝缘层的层叠结构，其中，所述氧化物层的载流子浓度为1018/cm3以下、平均晶体粒径为1μm以上，所述氧化物层的晶体以柱状配置在所述绝缘层的表面。
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