[发明专利]一种硅通孔互连结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201180037684.7 | 申请日： | 2011-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN104011848A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;骆志炯 | 申请（专利权）人： | 昆山智拓达电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/60;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 黄可峻 |
| 地址： | 215347 昆*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供一种硅通孔互连结构的制造方法，该方法包括以下步骤：提供半导体衬底（200）；从所述半导体衬底（200）的第一表面形成凹孔（202），并在所述凹孔（202）的侧壁和底面上形成第一绝缘层（203），以及在所述第一绝缘层（203）上形成牺牲层（204）；在所述凹孔（202）内填充硅通孔导体（205），以及在所述半导体衬底（200）的第一表面上形成与该硅通孔导体（205）电性连接的第一接触垫（207）；从所述半导体衬底（200）的第二表面对该半导体衬底（200）进行减薄，直至暴露出所述硅通孔导体（205）；去除所述牺牲层（204），在所述硅通孔导体（205）和第一绝缘层（203）之间形成空隙层（211）；将多个所述半导体衬底（200）堆叠后进行键合。相应地，提供一种硅通孔互连结构。该制造方法和互联结构可以有效地降低硅通孔与半导体衬底（200）之间的寄生电容，以及有效地减小硅通孔导体（205）在热膨胀中对所述半导体衬底（200）产生的应力作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅通孔 互连 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
