[发明专利]流体产品分配设备的表面处理方法无效
| 申请号： | 201180037686.6 | 申请日： | 2011-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN103097571A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | P·布吕纳;D·比萨多 | 申请（专利权）人： | 阿普塔尔法国简易股份公司 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48;A61F9/00;A61L2/16;C08J7/18;H01J37/317;A61J1/00;A61M15/00;B65D1/00;B05B11/00;A61M11/00;C08J7/12;C23C14/46 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 杨勇 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及流体产品分配设备的表面处理方法。该方法包括用多电荷且多能量的离子束通过离子植入对与所述流体产品接触的所述设备的至少一部分的至少一个待处理表面进行改性的步骤，改性的所述表面具有限制在改性的所述表面上形成生物膜并因而限制细菌的出现和/或繁殖的性能。所述多电荷离子选自氦、硼、碳、氮、氧、氖、氩、氪、氙，离子植入进行至0至3μm的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 流体 产品 分配 设备 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
流体产品分配设备的表面处理方法，其特征在于所述方法包括用多电荷且多能量的离子束通过离子植入对与所述流体产品接触的所述设备的至少一部分的至少一个待处理表面进行改性的步骤，改性的所述表面具有限制在改性的所述表面上细菌的出现和/或繁殖的性能，所述多电荷离子选自氦（He）、硼（B）、碳（C）、氮（N）、氧（O）、氖（Ne）、氩（Ar）、氪（Kr）、氙（Xe），离子植入进行至0至3μm的深度。
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