[发明专利]用于生产多晶硅锭的方法和装置

摘要

本发明涉及一种在熔融坩埚中用于生产多晶硅锭的方法和装置，所述熔融坩埚设置于工艺室中并且填充有硅材料。所述硅材料在所述熔融坩埚中熔融以形成硅熔融物，并且随后冷却到硅的凝固温度以下。在一部分工艺过程中，位于所述工艺室中且具有贯穿式开口的板元件可设置于所述硅熔融物的上方，并且在所述熔融坩埚中冷却到所述硅熔融物的凝固温度以下；并且气流可至少部分经由所述板元件中的至少一个贯穿式开口引导到所述硅熔融物的表面上。或者，描述了一种方法以及一种由熔融坩埚和固定环组成的熔融坩埚布置。所述固定环可放置在填充有硅材料的熔融坩埚上或上方，使得额外的硅材料可收纳于所述固定环内，从而使所述额外的硅材料通过所述固定环而固定在所述熔融坩埚的上方。在对所述熔融坩埚中的所述硅材料以及所述固定环中的所述额外的硅材料进行加热的过程中，所述熔融坩埚中形成硅熔融物，并且所述硅熔融物随后冷却到所述硅的所述凝固温度以下。

主权项

一种用于生产多晶硅锭的方法，所述工艺包括以下步骤：将坩埚放置在工艺室中，其中所述坩埚预填充有固态硅材料或在所述工艺室中的对所述坩埚填充硅材料；将所述坩埚中的所述固态硅材料加热到所述硅材料的熔融温度以上，从而在所述坩埚中形成熔融硅；降低板元件，所述板元件位于所述工艺室中且包括用于气体供应的至少一个通道；将所述坩埚中的所述硅材料冷却到所述熔融硅的凝固温度以下；以及在所述熔融硅的凝固时间段中的至少一定时间段内，将气流引导到所述坩埚中的所述熔融硅的表面上，其中所述气流至少部分经由所述板元件中的所述至少一个通道引导到所述熔融硅的所述表面上，所述方法的特征在于，将额外的固态硅材料固定到所述板元件上，然后再对所述坩埚中的所述硅材料进行加热，使得在所述板元件的下降过程中，所述额外的硅材料中的至少一部分浸入所述坩埚中的所述熔融硅中并且熔融，由此，所述坩埚中的所述熔融硅的填充水平得以提高。