[发明专利]扩散和离子注入混合工艺形成的选择发射极太阳能电池无效
申请号: | 201180038088.0 | 申请日: | 2011-05-17 |
公开(公告)号: | CN103210506A | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
发明(设计)人: | 艾吉特·罗哈吉;维杰·叶伦德;休伯特·P·戴维斯;维诺德·钱德拉塞卡朗;本·达米亚尼 | 申请(专利权)人: | 桑艾维公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068;H01L21/263;H01L21/266 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 王基才;王冬华 |
地址: | 美国乔治亚州诺克*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法。本发明太阳能电池的制造方法包括:提供一个硅基底,以及通过离子注入将掺杂剂引入基底的前面的一个或多个选择区。基底可以进行一次高温退火循环,在一次退火循环中,引入额外掺杂剂原子扩散进入基底的前面。基底的前面可以形成选择发射极,使得选择发射层的一个或多个选择区的掺杂度高于选择层其余部分的掺杂度。此外,本发明还公开了一种太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 扩散 离子 注入 混合 工艺 形成 选择 发射极 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种通过扩散和离子注入混合工艺制造选择发射极太阳能电池的方法,其包括:提供一个包括基极层的基底;通过离子注入将掺杂剂引入基极层的前面的一个或多个选择区;以及对基底进行退火处理,其中,退火处理包括将炉中的基底加热至一个温度:使额外掺杂剂扩散进入基极层的前面,其中,额外掺杂剂在退火处理期间引入炉中;以及在基极层的前面形成选择发射层,其中,基极层的前面的一个或多个选择区定义选择发射层的一个或多个选择区,一个或多个选择区的掺杂度高于选择发射层其余部分的掺杂度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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