[发明专利]扩散和离子注入混合工艺形成的选择发射极太阳能电池无效

专利信息
申请号: 201180038088.0 申请日: 2011-05-17
公开(公告)号: CN103210506A 公开(公告)日: 2013-07-17
发明(设计)人: 艾吉特·罗哈吉;维杰·叶伦德;休伯特·P·戴维斯;维诺德·钱德拉塞卡朗;本·达米亚尼 申请(专利权)人: 桑艾维公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/068;H01L21/263;H01L21/266
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人: 王基才;王冬华
地址: 美国乔治亚州诺克*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种太阳能电池及其制造方法。本发明太阳能电池的制造方法包括:提供一个硅基底,以及通过离子注入将掺杂剂引入基底的前面的一个或多个选择区。基底可以进行一次高温退火循环,在一次退火循环中,引入额外掺杂剂原子扩散进入基底的前面。基底的前面可以形成选择发射极,使得选择发射层的一个或多个选择区的掺杂度高于选择层其余部分的掺杂度。此外,本发明还公开了一种太阳能电池。
搜索关键词: 扩散 离子 注入 混合 工艺 形成 选择 发射极 太阳能电池
【主权项】:
一种通过扩散和离子注入混合工艺制造选择发射极太阳能电池的方法,其包括:提供一个包括基极层的基底;通过离子注入将掺杂剂引入基极层的前面的一个或多个选择区;以及对基底进行退火处理,其中,退火处理包括将炉中的基底加热至一个温度:使额外掺杂剂扩散进入基极层的前面,其中,额外掺杂剂在退火处理期间引入炉中;以及在基极层的前面形成选择发射层,其中,基极层的前面的一个或多个选择区定义选择发射层的一个或多个选择区,一个或多个选择区的掺杂度高于选择发射层其余部分的掺杂度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桑艾维公司,未经桑艾维公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180038088.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top