[发明专利]形成在半导电衬底上的垂直电容器有效
| 申请号： | 201180038330.4 | 申请日： | 2011-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN103053009A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 大卫·M·史密斯 | 申请（专利权）人： | 贺利实公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01G4/012;H01G4/30;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 江葳 |
| 地址： | 美国佛*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示半导体装置(100)及其制造方法。所述半导体装置中的每一者包含具有第一表面(118)及相对的第二表面的衬底(102)。在所述衬底的所述第一表面上安置垂直电容性元件(104)。所述垂直电容性元件包括横向于所述衬底的所述第一表面延伸的多个平行导电板(120a、120b，…)。相邻导电板彼此相隔距离D。介电材料(110)安置在分隔所述相邻导电板的空间中。所述导电板中的每一者具有大于或等于1的高度对宽度h/w比率。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 导电 衬底 垂直 电容器 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其包括：衬底，其具有第一表面及相对的第二表面；垂直电容性元件，其安置在所述衬底的所述第一表面上，所述垂直电容性元件包括各自横向于所述衬底的所述第一表面延伸并具有大于或等于1的高度对宽度h/w比率的多个平行导电板，所述多个导电板的相邻导电板彼此相隔距离D。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
