[发明专利]存储器阵列中的字线漏电的检测：基于电流的方法有效
| 申请号： | 201180038864.7 | 申请日： | 2011-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN103069498A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 李艳;D.李;J.H.海恩;潘锋;V.波普里;M.卡扎尼加 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/02 | 分类号： | G11C29/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 给出了用于检测存储器阵列中的字线漏电的技术和相应的电路。在一个示例实施例中，使用电容性分压器将高电压降转换为可以与参考电压比较的低电压降以确定由于漏电引起的电压降。芯片上自身校准方法可以帮助确保用于检测漏电限制的此技术的准确性。在其他实施例中，将由其中高电压被施加到该阵列、且所有字线未被选择的参考阵列汲取的电流与由其中被施加了高电压并且一条或多条字线被选择的阵列汲取的电流相比较。在这些基于电流的实施例中，参考阵列可以是与被选择用于测试的阵列不同的阵列或者相同的阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 阵列 中的 漏电 检测 基于 电流 方法 | ||
【主权项】：
一种在具有沿着字线形成的阵列的存储器单元的存储器电路中确定所述字线中的一条或多条是否有缺陷的方法，该方法包括：向第一多条字线施加电压样式；允许所述第一多条字线根据施加的电压样式而充电；随后在所述第一多条字线上俘获得到的电荷；在时间延迟之后，随后进行从所述第一多条字线的电压电平得到的电压与参考电压的比较；以及基于该比较，确定所述第一多条字线中的至少一条是否有缺陷。
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