[发明专利]用于低频用途的磁芯和制备用于低频用途的磁芯的方法

摘要

本发明提供了一种用于低频用途的磁芯和一种制备用于低频用途的磁芯的方法。本文提供了由螺旋状卷起的、软磁的、纳米晶体的条带所制成的磁芯，其中，所述条带基本上具有以下合金组成：Fe_余量Co_aCu_bNb_cSi_dB_eC_f，其中a、b、c、d、e和f按原子百分比计，且成立0≤a≤1、0.7≤b≤1.4、2.5≤c≤3.5、14.5≤d≤16.5、5.5≤e≤8及0≤f≤1，且钴可以部分或全部被镍替代，其中，所述磁芯具有λ_s<2ppm的饱和磁致伸缩λ_s、μ₁>100000的初始磁导率μ₁和μ_max>400000的最大磁导率μ_max，并且在所述条带的表面上布置有由金属氧化物构成的密封涂层。

主权项

一种由螺旋状卷起的、软磁的纳米晶体条带制备用于低频用途的磁芯的方法，其中，所述条带基本上具有以下合金组成：Fe_余量Co_aCu_bNb_cSi_dB_eC_f其中，a、b、c、d、e和f按原子百分比计，且0≤a≤1、0.7≤b≤1.4、2.5≤c≤3.5、14.5≤d≤16.5、5.5≤e≤8及0≤f≤1，且钴可部分或全部被镍替代，其中，所述条带设置有涂层，所述涂层具有金属醇盐溶液和/或乙酰‑丙酮金属螯合物溶液，在后续的使所述条带纳米晶体化的热处理的过程中，由所述溶液形成密封金属氧化物涂层，其中，在使所述条带纳米晶体化的热处理的过程中，将饱和磁致伸缩λ_s设置为︱λ_s︱<2ppm，其中，在连续退火方法中无场地对未堆叠的磁芯进行所述热处理，其中，所述磁芯在所述热处理中经历以下温度区：‑第一加热区，在所述第一加热区中，所述磁芯被加热至结晶温度；‑恒定的或微弱上升的衰减区，所述衰减区具有高于所述结晶温度的温度，其中，经历所述衰减区至少10分钟；‑第二加热区，在所述第二加热区中，所述磁芯被加热至成熟温度，以调整纳米晶体组织；‑成熟区，所述成熟区具有基本稳定的540℃至600℃的成熟温度T_x，其中，经历所述成熟区至少15分钟。