[发明专利]用于制造多晶硅锭的工艺和设备

摘要

本申请案描述了一种用于制造多晶硅锭的工艺和设备。在所述工艺过程中，坩埚布置在工艺腔室中，其中，所述坩埚填充有固体硅材料或所述坩埚在所述工艺腔室中填充硅材料。所述坩埚相对于至少一个对角加热器定位成：相对于即将生成的所述硅锭，所述对角加热器向侧部偏移并且所述对角加热器大体位于即将生成的所述硅锭的上方。此后，所述坩埚中的固体硅材料被加热到所述硅材料的熔融温度以上，从而在所述坩埚中形成熔融硅，并且此后，所述坩埚中的所述硅材料被冷却到所述熔融硅的凝固温度以下，其中冷却阶段中所述硅材料的温度曲线至少部分地通过所述至少一个对角加热器来控制。所述设备包括工艺腔室、位于所述工艺腔室内部的坩埚固持器以及位于所述工艺腔室中的至少一个对角加热器。所述对角加热器相对于所述坩埚固持器横向地定位且大体垂直于所述坩埚固持器而延伸，并且在垂直方向上与所述坩埚固持器间隔一段距离，从而使得所述对角加热器在垂直方向上定位成大体位于即将形成于所述坩埚中的多晶硅锭的上方。当所述工艺腔室关闭时，所述对角加热器相对于所述坩埚固持器是静止的。

主权项

一种用于生成多晶硅锭的工艺，其中所述工艺包括以下步骤：将坩埚放置在工艺腔室中，其中，所述坩埚填充有固体硅材料，或所述坩埚在所述工艺腔室中填充硅材料，其中所述坩埚相对于至少一个对角加热器布置成：相对于即将生成的所述硅锭，所述对角加热器向侧部偏移并且所述对角加热器大体位于即将生成的所述硅锭的上方；将所述坩埚中的所述固体硅材料加热到所述硅材料的熔融温度以上，从而在所述坩埚中形成熔融硅；将所述坩埚中的所述硅材料冷却到所述熔融硅的凝固温度以下，其中，在冷却步骤中，所述硅材料中的温度分布至少部分地通过所述至少一个对角加热器来进行控制；以及用至少一张箔幕(14)来阻挡从所述坩埚(6)流向所述对角加热器(9a、9b)的任何直接气流，所述至少一张箔幕设置成与所述至少一个对角加热器(9a、9b)面向所述坩埚的一侧相邻近。