[发明专利]UV发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201180039456.3 | 申请日： | 2011-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN103069584A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 南基范;吴德焕;徐原哲 | 申请（专利权）人： | 首尔OPTO仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩芳;戴嵩玮 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种UV发光二极管及其制造方法。UV发光二极管包括：第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，顺序地形成在基底上；电极，形成在第二导电类型半导体层上；以及开口，通过去除第一导电类型半导体层、有源层、第二导电类型半导体层、反射结构和透明电极中的至少部分形成，以穿过所述开口来暴露部分第一导电类型半导体层。在UV发光二极管中，UV光从有源层发射，穿过开口，然后传播到外部。 | ||
| 搜索关键词： | uv 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种UV发光二极管，所述UV发光二极管包括：第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，顺序地形成在基底上；电极，形成在第二导电类型半导体层上；以及开口，通过去除第一导电类型半导体层、有源层、第二导电类型半导体层和电极中的至少部分形成，以穿过所述开口来暴露部分第一导电类型半导体层，其中，UV光从有源层穿过所述开口发射到外部。
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