[发明专利]具有欧姆电极结构体的半导体发光元件及制造此的方法有效
申请号: | 201180039486.4 | 申请日: | 2011-08-09 |
公开(公告)号: | CN103069587A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 李钟览;宋阳熙 | 申请(专利权)人: | 首尔OPTO仪器股份有限公司;浦项工科大学校产学协力团 |
主分类号: | H01L33/36 | 分类号: | H01L33/36 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 金光军;鲁恭诚 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开一种具有欧姆电极结构体的半导体发光元件及制造此的方法。根据本发明的一方面的半导体发光元件包括上部表面为N-面的发光结构体和位于所述发光结构体之上的欧姆电极结构体。在此,所述欧姆电极结构体从所述发光结构体的N-面开始包括下部防扩散层、接触层、上部防扩散层和Al保护层。通过采用包括下部防扩散层/接触层/上部防扩散层/Al保护层的多层结构的欧姆电极结构体,可防止N-面半导体层上的欧姆接触特性的劣化,可提供热稳定性优秀的半导体发光元件。 | ||
搜索关键词: | 具有 欧姆 电极 结构 半导体 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体发光元件,包括:上部表面为N‑面的发光结构体和位于所述发光结构体之上的欧姆电极结构体,所述欧姆电极结构体包括:位于所述发光结构体的N‑面上的接触层;位于所述接触层上的Al保护层;介于所述接触层和所述发光结构体的N‑面之间的下部防扩散层;介于所述接触层和Al保护层之间的上部防扩散层。
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