[发明专利]含有离去取代基的化合物,由其形成的有机半导体材料,使用所述有机半导体材料的有机电子器件、有机薄膜晶体管和显示器,制备膜样产品的方法,π-电子共轭化合物以及制备所述π-电子共轭化合物的方法无效

专利信息
申请号: 201180039620.0 申请日: 2011-06-14
公开(公告)号: CN103080068A 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: 后藤大辅;山本谕;匂坂俊也;加藤拓司;田野隆德;篠田雅人;松本真二;毛利匡贵;油谷圭一郎 申请(专利权)人: 株式会社理光
主分类号: C07C69/28 分类号: C07C69/28;C07C69/013;C07C69/63;C07D495/04;C07D495/22;H01L21/336;H01L29/786;H01L29/80;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 宋莉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 通式(I)表示的含有离去取代基的化合物,其中通过施加能量于所述含有离去取代基的化合物,所述含有离去取代基的化合物能转化为通式(Ia)表示的化合物和通式(II)表示的化合物,在通式(I)、(Ia)和(II)中,X和Y各自表示氢原子或者离去取代基,其中X和Y中的一个是所述离去取代基,且另一个是所述氢原子;Q2至Q5各自表示氢原子、卤素原子或者一价有机基团;Q1和Q6各自表示氢原子或者不同于所述离去取代基的一价有机基团;以及在Q1至Q6表示的一价有机基团中,相邻的一价有机基团可连接在一起形成环。
搜索关键词: 含有 离去 取代 化合物 形成 有机 半导体材料 使用 电子器件 薄膜晶体管 显示器 制备 产品
【主权项】:
1.通式(I)表示的含有离去取代基的化合物,其中通过施加能量于所述含有离去取代基的化合物,所述含有离去取代基的化合物能转化为通式(Ia)表示的化合物和通式(II)表示的化合物,在通式(I)、(Ia)和(II)中,X和Y各自表示氢原子或者离去取代基,其中X和Y中的一个是所述离去取代基,且另一个是所述氢原子;Q2至Q5各自表示氢原子、卤素原子或者一价有机基团;Q1和Q6各自表示氢原子或者不同于所述离去取代基的一价有机基团;以及在Q1至Q6表示的一价有机基团中,相邻的一价有机基团可连接在一起形成环。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社理光,未经株式会社理光许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180039620.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top