[发明专利]使用Vt移位效应的可编程FET及其制造方法有效
| 申请号： | 201180039693.X | 申请日： | 2011-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN103503150A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | E·A·卡蒂埃;梁擎擎;梁玥;王延锋 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/68 | 分类号： | H01L29/68;H01L21/336;G06F9/45 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅;张宁 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 使用高k电介质金属栅极Vt移位效应来提供可编程场效应晶体管(FET)及其制造方法。控制高k电介质金属栅极结构中的Vt移位的方法包括向高k电介质金属栅极结构的栅极接触施加电流以提高形成栅极堆叠的金属的温度。提高温度超出用于提供接通状态的Vt移位温度阈值。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 vt 移位 效应 可编程 fet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种控制在高k电介质金属栅极结构中的Vt移位的方法，包括向所述高k电介质金属栅极结构的栅极接触施加电流以提高形成栅极堆叠的金属的温度，其中所述温度被提高为超出在高k材料上氧引起的Vt移位所需要的温度。
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