[发明专利]化学机械抛光浆料再循环系统及方法有效
| 申请号： | 201180039856.4 | 申请日： | 2011-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN103069549A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | N.阿莫罗索;B.托拉;D.波尔德里奇 | 申请（专利权）人： | 嘉柏微电子材料股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邢岳 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了用于在利用化学机械抛光(CMP)研磨浆料抛光基板后再循环该化学机械抛光(CMP)研磨浆料的系统及方法。该方法包括：使来自共混罐的回收CMP浆料循环通过超滤设备并返回至该共混罐中，该超滤设备将预定量的水自该回收浆料移除以形成浆料浓缩物；任选地，将该浓缩物的pH调节至预定目标水平；并且，任选地，将选定的化学添加剂组分和/或水以足以形成适用于CMP过程的重新组成的CMP浆料的量添加至该浓缩物中。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 浆料 再循环 系统 方法 | ||
【主权项】：
用于再循环自抛光过程回收的含研磨剂的化学机械抛光(CMP)水性浆料的方法，该方法包括以下步骤：(a)使来自共混罐的该回收CMP浆料循环通过超滤设备并返回至该罐中，该超滤设备将预定比例的水自流经该超滤设备的所述回收CMP浆料中移除，直至该罐中的所述浆料内的研磨剂颗粒浓度是在约2‑约40重量%的选定目标研磨剂颗粒浓度之内；(b)任选地，将选定的离子自该回收浆料的水相移除；(c)任选地，将一定量的非再循环的新鲜CMP浆料添加至该回收CMP浆料中；(d)任选地，将该回收浆料的pH调节至预定目标水平；(e)将选定的化学添加剂组分和/或水添加至该回收浆料以形成重新组成的CMP浆料；及(f)自该共混罐收取该重新组成的CMP浆料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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