[发明专利]太阳能电池无效
| 申请号： | 201180040053.0 | 申请日： | 2011-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN103069573A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 井本纯平 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种太阳能电池（1），设置于含有第一导电型杂质的硅基板（2）受光面侧的、含有第二导电型杂质的扩散区域（4）具有第一扩散区域（5）与第二扩散区域（6），第二扩散区域（6）的表面与第一扩散区域（5）的表面相比第二导电型杂质浓度较高，第二扩散区域（6）相互分开而配置，受光面电极（8）与多个第二扩散区域（6）连接。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池（1），其特征在于，具有：含有第一导电型杂质的硅基板（2）、设置于所述硅基板（2）受光面侧的含有第二导电型杂质的扩散区域（4）、设置于所述扩散区域（4）受光面侧的受光面电极（8），所述扩散区域（4）具有第一扩散区域（5）与第二扩散区域（6），所述第二扩散区域（6）的表面与所述第一扩散区域（5）的表面相比，所述第二导电型杂质的浓度较高，所述第二扩散区域（6）相互分开而配置，所述受光面电极（8）与多个所述第二扩散区域（6）连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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