[发明专利]半导体构造和在开口内提供导电材料的方法在审
| 申请号： | 201180040193.8 | 申请日： | 2011-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN103081066A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 戴尔·W·柯林斯;乔·林格伦 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/203 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一些实施例包括当保持所沉积含铜材料的温度大于100℃时利用所述含铜材料的物理气相沉积来沉积所述含铜材料的方法。一些实施例包括如下方法：用含金属组合物给开口加衬，当含铜材料的温度不大于约0℃时在所述含金属组合物上方物理气相沉积所述含铜材料，且然后当所述含铜材料处于约180℃到约250℃的范围内的温度下时使所述含铜材料退火。一些实施例包括用含有金属和氮的组合物给开口加衬且用含铜材料至少部分地填充所述经加衬开口的方法。一些实施例包括半导体构造，其沿开口的侧壁周边具有金属氮化物衬垫，且在所述开口内直接抵靠所述金属氮化物衬垫具有含铜材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 构造 开口 提供 导电 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种将含铜材料沉积在多个开口内的方法，其包含所述含铜材料在所沉积含铜材料的温度大于100℃的条件下的物理气相沉积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
