[发明专利]光电转换器件和其制造方法无效
| 申请号： | 201180040383.X | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN103098226A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 梅田亚津美;矢田茂郎 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 降低背面电极层的光的吸收损失，提高光电转换器件的发电效率。设置：将光转换为电的光电转换单元；形成在光电转换单元上的第一氧化锌层（40a）；形成在第一氧化锌层（40a）上的、添加有铝和硅的第二氧化锌层（40b）；和形成在第二氧化锌层（40b）上的反射金属层（40c）。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电转换器件，其特征在于，具有：将光转换为电的光电转换单元；形成于所述光电转换单元上的第一氧化锌层；形成于所述第一氧化锌层上的、添加有铝和硅的第二氧化锌层；和形成于所述第二氧化锌层上的金属层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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