[发明专利]半导体元件用外延基板、半导体元件、半导体元件用外延基板的制作方法、以及半导体元件的制作方法

摘要

本发明提供一种通态电阻低且常闭动作型的半导体元件。半导体元件用外延基板具备：基底基板；沟道层，其至少含有Al和Ga，且由Inx1Aly1Gaz1N（x1+y1+z1＝1）组成的第一III族氮化物构成；势垒层，其至少含有In和Al，且由Inx2Aly2Gaz2N（x2+y2+z2＝1）组成的第二III族氮化物构成。第一III族氮化物的组成在由x1＝0，0≦y1≦0.3决定的范围内，第二III族氮化物的组成在以InN、AlN、GaN为顶点的三维图上，由根据第一III族氮化物的组成决定的、以下各式所表示的直线包围的范围内，势垒层的厚度为3nm以下，并且，在势垒层之上，进而具备有由氮化硅构成且具有3nm以下的厚度的低结晶性绝缘层。

主权项

一种半导体元件用外延基板，其特征在于，具备：基底基板；沟道层，其至少含有Al和Ga，且由Inx1Aly1Gaz1N组成的第一III族氮化物构成，其中x1+y1+z1＝1；势垒层，其至少含有In和Al，且由Inx2Aly2Gaz2N组成的第二III族氮化物构成，其中x2+y2+z2＝1，所述第一III族氮化物的组成在由x1＝0，0≦y1≦0.3决定的范围内，所述第二III族氮化物的组成在以InN、AlN、GaN为顶点的三维图上，由根据所述第一III族氮化物的组成决定的、以下各式所表示的直线包围的范围内，所述势垒层的厚度为3nm以下，并且，在所述势垒层之上，进而具备有由氮化硅构成且具有3nm以下的厚度的低结晶性绝缘层，式1 x 2 = y 2 - ( 0.27 + 0.5 y 1 ) 1.78 = - z 2 - ( 0.73 - 0.5 y 1 ) 2.78 式2 x 2 = y 2 - ( 0.4 + 0.6 y 1 ) 1.78 = - z 2 - ( 0.6 - 0.6 y 1 ) 2.78 式3z2=0.4式4z2=0。