[发明专利]等离子体处理设备有效
申请号: | 201180041127.2 | 申请日: | 2011-11-21 |
公开(公告)号: | CN103081073A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 池田真义;坂本清尚;泽田明宏;佐护康实;长谷川雅己;栗田资三 | 申请(专利权)人: | 佳能安内华股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H05H1/46 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种等离子体处理设备,其能够通过校正等离子体密度分布的不均匀来使基板处理均匀。该设备具有下面的结构:利用等离子体处理基板,减压容器设置有围绕容器的外周所配置的环形天线,由电源容器和处理容器形成减压容器,其中,将基板置于处理容器中,并且处理容器与电源容器的内部空间连通。通过提供至天线的射频电力在电源容器中生成等离子体。通过围绕天线的外周所配置的螺线管线圈的磁场使等离子体扩散至处理容器中。通过利用倾斜调整部件调整螺线管线圈相对于处理基板的倾斜,来调整螺线管线圈所生成的磁场的倾斜,并进行基板处理。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 设备 | ||
【主权项】:
一种等离子体处理设备,用于利用等离子体处理基板,包括:容器,能够在其内部配置所述基板;天线,其被设置在所述容器周围以在所述容器中生成等离子体;磁场生成部件,其被设置在所述天线周围以在所述容器中生成磁场,从而扩散所述等离子体;以及倾斜调整部件,用于使所述天线和所述磁场生成部件中至少一个倾斜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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