[发明专利]太阳能电池及其制造方法无效
| 申请号： | 201180041176.6 | 申请日： | 2011-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN103081122A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 李真宇 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 许向彤 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括：衬底；布置在所述衬底上的后电极层；布置在所述后电极层上的光吸收层；以及布置在所述光吸收层上的窗口层，其中，所述窗口层包括：布置在所述光吸收层上的基底层；以及布置在所述基底层上的防反射图案，并且，所述防反射图案包括：上表面；以及从所述上表面沿倾斜方向延伸的倾斜表面。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池，包括：衬底；在所述衬底上的后电极层；在所述后电极层上的光吸收层；以及在所述光吸收层上的窗口层，其中，所述窗口层包括：在所述光吸收层上的基底层；以及在所述基底层上的防反射图案，并且其中，所述防反射图案包括：上表面；以及倾斜表面，从所述上表面沿着所述倾斜表面相对于所述上表面倾斜的方向延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
