[发明专利]半导体基板、绝缘栅极型场效应晶体管以及半导体基板的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体基板，其具有基底基板、第1结晶层、第2结晶层以及绝缘层，基底基板、第1结晶层、第2结晶层以及绝缘层依照基底基板、第1结晶层、第2结晶层、绝缘层的顺序设置，第1结晶层和第2结晶层之间或基底基板和第1结晶层之间还具有第3结晶层，所述第2结晶层包含与构成所述第1结晶层的结晶晶格匹配或准晶格匹配，并且禁带幅宽比构成所述第1结晶层的结晶还大的结晶；所述第3结晶层包含与构成所述第1结晶层的结晶晶格匹配或准晶格匹配，并且禁带幅宽比构成所述第1结晶层的结晶还大的结晶；所述第3结晶层包含成为施体或受体的第1原子，在所述第3结晶层包含成为施体的第1原子时，所述第2结晶层包含成为受体的第2原子，在所述第3结晶层包含成为受体的第1原子时，所述第2结晶层包含成为施体的第2原子。第1结晶层可以作为场效应晶体管中的通道层使用，绝缘层可以作为场效应晶体管中的栅极绝缘层使用。

主权项

一种半导体基板，其特征在于，具有基底基板、第1结晶层、第2结晶层和绝缘层，所述基底基板、所述第1结晶层、所述第2结晶层及所述绝缘层依照所述基底基板、所述第1结晶层、所述第2结晶层、所述绝缘层的顺序设置，所述半导体基板还具有位于所述第1结晶层和所述第2结晶层之间、或所述基底基板和所述第1结晶层之间的第3结晶层；所述第2结晶层包含与构成所述第1结晶层的结晶晶格匹配或准晶格匹配，并且禁带幅宽比构成所述第1结晶层的结晶还大的结晶；所述第3结晶层包含与构成所述第1结晶层的结晶晶格匹配或准晶格匹配，并且禁带幅宽比构成所述第1结晶层的结晶还大的结晶；所述第3结晶层包含成为施体或受体的第1原子，在所述第3结晶层包含成为施体的第1原子时，所述第2结晶层包含成为受体的第2原子，在所述第3结晶层包含成为受体的第1原子时，所述第2结晶层包含成为施体的第2原子。