[发明专利]蚀刻方法和蚀刻装置无效
| 申请号： | 201180041358.3 | 申请日： | 2011-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN103069547A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 原谦一;早川崇 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/3205;H01L21/3213;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金世煜;苗堃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明具备将表面上形成有掩模材料（102）的铜膜（101）的周围设为有机化合物气体（22）气氛的工序和在有机化合物气体（22）气氛中，将掩模材料（102）作为掩模，对铜膜（101）照射氧离子（6）而各向异性蚀刻铜膜（101）的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种蚀刻方法，其特征在于，具备：将表面形成有掩模材料的铜膜的周围设为有机化合物气体气氛的工序，和在所述有机化合物气体气氛中，将所述掩模材料用作掩模，对所述铜膜照射氧离子而各向异性蚀刻所述铜膜的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180041358.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：太阳能电池
- 下一篇：用于满足最小帧速率要求的图形呈现方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
