[发明专利]存储元件的驱动方法及使用存储元件的存储装置无效

专利信息
申请号: 201180041359.8 申请日: 2011-08-25
公开(公告)号: CN103081016A 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: 高桥刚;增田雄一郎;古田成生;角谷透;小野雅敏;林豊;福冈敏美;清水哲夫;库玛拉古卢巴兰·索姆;菅洋志;内藤泰久 申请(专利权)人: 独立行政法人产业技术综合研究所;株式会社船井电机新应用技术研究所;船井电机株式会社
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00;H01L27/105;H01L45/00;H01L49/02
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 聂宁乐;浦柏明
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 更稳定地进行开关动作。存储元件10具有绝缘性基板1、设置于绝缘性基板的第一电极2及第二电极3、产生第一电极与第二电极之间的电阻值的变化现象的电极间间隙部4,通过从脉冲发生源向存储元件10施加用于从规定的低电阻状态向规定的高电阻状态转换的第一电压脉冲,经由串联的电阻体向存储元件10施加用于从高电阻状态向低电阻状态转换的第二电压脉冲,来减小流向变化为低电阻值之后的存储元件的电流值,与从低电阻状态向所述高电阻状态转换的情况相比,在从高电阻状态向低电阻状态转换的情况下,在使在脉冲发生源与存储元件之间的电阻变大之后,施加电压脉冲。
搜索关键词: 存储 元件 驱动 方法 使用 装置
【主权项】:
一种存储元件的驱动方法,所述存储元件具有:绝缘性基板,第一电极及第二电极,设置于所述绝缘性基板上,电极间间隙部,设置在所述第一电极与所述第二电极之间,具有纳米级的间隙,该纳米级的间隙用于通过向所述第一电极与所述第二电极之间施加规定电压而产生第一、第二电极之间的电阻值的变化现象;通过施加电压脉冲,所述存储元件能够从规定的低电阻状态向规定的高电阻状态转换以及能够从所述高电阻状态向所述低电阻状态转换,所述存储元件的驱动方法的特征在于,至少在从所述高电阻状态向所述低电阻状态转换时,通过插入串联连接的电阻体,从脉冲发生源经由所述电阻体向所述存储元件施加电压脉冲,来减小电阻值变化之后的电流值,另外,通过施加所述电压脉冲,使得与从所述低电阻状态向所述高电阻状态转换的情况相比,在从所述高电阻状态向所述低电阻状态转换的情况下,所述脉冲发生源与所述存储元件之间的电阻变大。
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