[发明专利]等离子体处理装置和光学监视装置无效
申请号: | 201180041451.4 | 申请日: | 2011-08-24 |
公开(公告)号: | CN103069551A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 野沢俊久;仙田孝博;西本伸也;山上宗隆;茂山和基 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 不影响平板缝隙天线的电磁波辐射特性的均匀性就能够使用波长区域较宽的非相干监视光来高精度地对处理容器内的被处理基板的表面进行光学监视。该微波等离子体蚀刻装置中的光学监视装置(100)具有:监视头(102),其在比载置在基座(12)上的半导体晶圆(W)的边缘靠径向内侧且比同轴管(66)靠径向外侧的位置配置在冷却套筒板(72)之上;监视用的光波导路(104),其以从该监视头(102)起向铅垂下方纵穿盖板(72)、电介质板(56)、缝隙板(54)以及电介质窗(52)的方式设置;以及监视主体(108),其经由光纤(106)与监视头(102)光学耦合。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 光学 监视 | ||
【主权项】:
一种等离子体处理装置,其中,该等离子体处理装置包括:处理容器,其能够被真空排气,在至少一部分处具有电介质窗;基板保持部,其用于在上述处理容器内保持被处理基板;处理气体供给部,为了对上述基板实施所期望的等离子体处理,该处理气体供给部向上述处理容器内供给所期望的处理气体;导体的缝隙板,其设于上述电介质窗之上且具有用于向上述处理容器内辐射微波的1个或多个缝隙;微波供给部,其为了通过微波放电生成上述处理气体的等离子体而经由上述缝隙板和上述电介质窗向上述处理容器内供给微波;以及光学监视部,其经由上述电介质窗和形成于上述缝隙板的网状通孔来以光学方式监视或测量上述处理容器内的上述基板的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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