[发明专利]激光退火装置及激光退火方法有效
| 申请号： | 201180041647.3 | 申请日： | 2011-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN103081065A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 佐藤亮介;草间秀晃;富樫陵太郎;井崎博大 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本制钢所 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明能利用激光退火将半导体膜均匀地结晶化。包括输出脉冲激光的脉冲激光振荡装置、和将从该脉冲激光振荡装置输出的所述脉冲激光进行传输并照射于半导体膜的光传输单元，将所述脉冲激光照射于半导体膜，使得在半导体膜照射面，由有效功率密度（J/(秒·cm3)）＝脉冲能量密度（J/cm2）/脉冲宽度（秒）×半导体膜的吸收系数（cm－1）这一公式计算出的有效功率密度在3×1012至1.5×1012的范围内，因此，能使半导体膜结晶化而不引起由完全熔融所产生的异常晶粒生长，可得到偏差较小的均匀结晶。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 退火 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种激光退火装置，其特征在于，包括：脉冲激光振荡装置，该脉冲激光振荡装置输出脉冲激光；及光传输单元，该光传输单元将从该脉冲激光振荡装置输出的所述脉冲激光进行传输并照射于半导体膜，将所述脉冲激光照射于所述半导体膜，使得在半导体膜照射面，由下述公式计算出的有效功率密度在3×1012至1.5×1012的范围内，有效功率密度（J/(秒·cm3)）＝脉冲能量密度（J/cm2）/脉冲宽度（秒）×半导体膜的吸收系数（cm－1）…（公式）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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