[发明专利]层叠型半导体陶瓷电容器的制造方法、以及层叠型半导体陶瓷电容器有效
| 申请号： | 201180041685.9 | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN103098157A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 川本光俊 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01G4/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王亚爱 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | SrTiO3系晶界绝缘型的层叠型半导体陶瓷电容器的制造方法具有：预烧粉末制作工序，称量规定量的Sr化合物、Ti化合物以及施主化合物进行混合粉碎后，进行预烧处理来制作预烧粉末；热处理粉末制作工序，将受主化合物与预烧粉末混合，进行热处理来制作热处理粉末；层叠体形成工序，对所述热处理粉末实施成型加工来制作陶瓷生片，此后将内部电极层与陶瓷生片交替地层叠来形成层叠体；以及煅烧工序，在还原气氛下，对所述层叠体进行了一次煅烧处理，其后在大气气氛下进行二次煅烧处理，其中，在450℃～580℃的温度气氛下进行所述二次煅烧处理。由此，即使静电电容是1nF左右的低电容，也能够实现ESD的吸收性能良好的SrTiO3系晶界绝缘型的层叠型半导体陶瓷电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 层叠 半导体 陶瓷 电容器 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种层叠型半导体陶瓷电容器的制造方法，其具有：预烧粉末制作工序，称量规定量的Sr化合物、Ti化合物以及施主化合物，进行混合粉碎后进行预烧处理来制作预烧粉末；热处理粉末制作工序，将受主化合物与所述预烧粉末混合，进行热处理来制作热处理粉末；层叠体形成工序，对所述热处理粉末实施成型加工来制作陶瓷生片，此后将内部电极层与陶瓷生片交替地层叠来形成层叠体；以及煅烧工序，在还原气氛下对所述层叠体进行了一次煅烧处理后，在大气气氛下进行二次煅烧处理，其中，在450℃～580℃的温度气氛下进行所述二次煅烧处理。
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