[发明专利]Cu-In-Ga-Se四元合金溅射靶有效
| 申请号： | 201180041741.9 | 申请日： | 2011-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103108977A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 田村友哉;高见英生;坂本胜 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种包含Cu-In-Ga-Se的四元合金溅射靶，为包含铜（Cu）、铟（In）、镓（Ga）和硒（Se）的四元合金溅射靶，其特征在于，各元素的构成比为式CuxIn1-yGaySea（其中，0.84≤x≤0.98，0＜y≤0.5，a=（1/2）x+3/2），通过EPMA观察到的组织中，无Cu2Se或Cu(In、Ga)3Se5的异相，仅包含Cu(In、Ga)Se2相。本发明提供即使长时间溅射也几乎没有异常放电，不存在造成溅射成膜后膜的转换效率下降的Cu2Se或Cu(In、Ga)3Se5的异相，可以制造面内均匀性优良的膜的CIGS四元合金溅射靶，以及具备规定的体电阻、且高密度的CIGS四元合金溅射靶。 | ||
| 搜索关键词： | cu in ga se 合金 溅射 | ||
【主权项】：
一种包含Cu‑In‑Ga‑Se的四元合金溅射靶，为包含铜（Cu）、铟（In）、镓（Ga）和硒（Se）的四元合金溅射靶，其特征在于，各元素的构成比为式CuxIn1‑yGaySea（其中，0.84≤x≤0.98，0＜y≤0.5，a=（1/2）x+3/2），通过EPMA观察到的组织中，无Cu2Se或Cu(In、Ga)3Se5的异相，仅包含Cu(In、Ga)Se2相。
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