[发明专利]装置有效
| 申请号： | 201180041755.0 | 申请日： | 2011-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN103108985A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | J·辛科 | 申请（专利权）人： | BENEQ有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/54 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王会卿 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 芬兰;FI |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于处理柔性基底（6）的表面（4）的装置。该装置包括：用于传输基底（6）的传输机构（20、22、24、26、28、30、8、10）；和至少一个喷嘴头（2），所述至少一个喷嘴头包括两个或更多个用于使基底（6）的表面（4）经受至少第一前驱物和第二前驱物作用的前驱物区域（14、16）。根据本发明，传输机构（20、22、24、26、28、30、8、10）包括传输筒体（8），并且喷嘴头形成为围绕着传输筒体（8）设置的喷嘴头筒体（2），用于在传输筒体（8）与喷嘴头筒体（2）之间传输和处理基底（6）。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 | ||
【主权项】：
一种用于处理柔性的基底（6）的表面（4）的装置，通过使基底（6）的表面（4）经受至少第一前驱物和第二前驱物的相继表面反应而进行所述处理，所述装置包括：至少一个喷嘴头（2），所述至少一个喷嘴头包括两个或更多个用于使基底（6）的表面（4）经受至少第一前驱物和第二前驱物作用的前驱物区域（14、16）；和用于传输基底（6）的传输机构（20、22、24、26、28、30、8、10）；喷嘴头形成为喷嘴头筒体（2），所述喷嘴头筒体在内筒体表面上设有输出面（5），用于使基底（6）的表面（4）经受至少第一前驱物和第二前驱物的表面反应；以及传输机构（20、22、24、26、28、30、8、10）包括传输表面（3），所述传输表面与喷嘴头筒体（2）的输出面（5）至少部分相符，用于在输出面（5）与传输表面（3）之间传输基底（6）；其特征在于：传输机构（20、22、24、26、28、30、8、10）设置用于将基底（6）导引至传输表面（3）以及从传输表面（3）导引出。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
