[发明专利]显示装置用薄膜半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201180041844.5 | 申请日： | 2011-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN103109373A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 林宏;川岛孝启;河内玄士朗 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社;松下液晶显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;杨光军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的显示装置用薄膜半导体装置（10）包括：基板（1）；形成于基板上的栅电极（2）；形成于栅电极上的栅极绝缘膜（3）；形成于栅极绝缘膜上，且在表面具有凸形状的沟道层（4）；形成于沟道层的凸形状之上，且包括含有硅、氧及碳的有机材料的沟道保护层（5）；界面层（6），形成于沟道层的凸形状的上面与沟道保护层之间的界面，含有碳作为主要成分，作为其主要成分的碳是来源于所述有机材料的碳；和源电极（8s）及漏电极（8d），沿着沟道保护层的端部的上部及侧部、与沟道保护层的侧部相连的界面层的侧部、与界面层的侧部相连的沟道层的凸形状的侧部、以及与沟道层的凸形状的侧部相连的沟道层的上部而形成。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 薄膜 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种显示装置用薄膜半导体装置，包括：基板；栅电极，形成于所述基板上；栅极绝缘膜，形成于所述栅电极上；沟道层，形成于所述栅极绝缘膜上，在表面具有凸形状；沟道保护层，形成于所述沟道层的凸形状之上，包括含有硅、氧及碳的有机材料；界面层，形成于所述沟道层的凸形状的上面与所述沟道保护层之间的界面，包括碳为主要成分，作为其主要成分的碳是来源于所述有机材料的碳；和源电极及漏电极，沿着所述沟道保护层的端部的上部及侧部、与所述沟道保护层的侧部相连的所述界面层的侧部、与所述界面层的侧部相连的所述沟道层的凸形状的侧部、以及与所述沟道层的所述凸形状的侧部相连的所述沟道层的上部而形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社;松下液晶显示器株式会社，未经松下电器产业株式会社;松下液晶显示器株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180041844.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电话交换通信系统的中继呼叫路由分析的方法
- 下一篇：聚碳酸酯接枝共聚物
- 同类专利
- 专利分类
