[发明专利]细胞培养用温度应答性基材及其制造方法有效
| 申请号： | 201180042162.6 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN103080295A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 中山正道;冈野光夫 | 申请（专利权）人： | 学校法人东京女子医科大学 |
| 主分类号： | C12M3/04 | 分类号： | C12M3/04;C08F293/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 田欣;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是简便地制作细胞培养用温度应答性表面，所述表面可效率良好地培养细胞，而且仅通过改变基材面的温度即可效率良好地剥离培养细胞或细胞片。本发明的细胞培养用温度应答性基材，在基材表面被覆有嵌段共聚物，所述嵌段共聚物具有水不溶性聚合物链段与温度应答性聚合物链段结合的结构，在基材表面作为温度应答性聚合物以0.8～3.0μg/cm2的比例进行被覆。 | ||
| 搜索关键词： | 细胞培养 温度 应答 基材 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种细胞培养用温度应答性基材，在基材表面被覆有嵌段共聚物，所述嵌段共聚物具有水不溶性聚合物链段与温度应答性聚合物链段结合的结构，在基材表面作为温度应答性聚合物部分以0.8～3.0μg/cm2的比例进行被覆。
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