[发明专利]发光二极管芯片无效
| 申请号： | 201180042434.2 | 申请日： | 2011-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN103069590A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | K.恩格尔;M.毛特;S.拉梅尔斯贝格尔 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/40 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张涛;刘春元 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 说明了一种具有半导体层序列（2）的发光二极管芯片（1），该半导体层序列具有适合于产生电磁射线（10）的有源层（4），其中该发光二极管芯片（1）在正面具有射线射出面（11），该发光二极管芯片（1）在与射线射出面（11）相对的背面处至少局部地具有包含银的反射镜层（6），其中在反射镜层（6）上设置包含Pt的保护层（7），以及所述保护层（7）具有这种结构，该结构仅在子区域（8）中覆盖反射镜层（7）。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种具有半导体层序列（2）的发光二极管芯片（1），该半导体层序列具有适合于产生电磁射线（10）的有源层（4），其中‑该发光二极管芯片（1）在正面具有射线射出面（11），‑该发光二极管芯片（1）在与射线射出面（11）相对的背面处至少局部地具有包含银的反射镜层（6），‑在反射镜层（6）上设置包含Pt的保护层（7），以及‑所述保护层（7）具有这种结构，该结构仅在子区域（8）中覆盖反射镜层（7）。
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