[发明专利]半导体装置用薄膜以及半导体装置有效
| 申请号： | 201180042794.2 | 申请日： | 2011-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103081068A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 天野康弘;井上刚一 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;B32B7/06;H01L21/52;H01L21/683 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种带有切割片的胶粘薄膜，将在切割薄膜上层叠有胶粘薄膜的带有切割片的胶粘薄膜以预定的间隔层叠在覆盖薄膜上而得到半导体装置用薄膜，将该半导体装置用薄膜卷绕为卷筒状时可以抑制在胶粘薄膜上产生转印痕迹。本发明的半导体装置用薄膜，在切割薄膜上层叠有胶粘薄膜的带有切割片的胶粘薄膜以预定的间隔层叠在覆盖薄膜上而得到，其特征在于，设覆盖薄膜的厚度为Ta、设切割薄膜的厚度为Tb时，Ta/Tb在0.07～2.5的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 薄膜 以及 | ||
【主权项】：
一种半导体装置用薄膜，将在切割薄膜上层叠有胶粘薄膜的带有切割片的胶粘薄膜以预定的间隔层叠在覆盖薄膜上而得到，其特征在于，设所述覆盖薄膜的厚度为Ta、设所述切割薄膜的厚度为Tb时，Ta/Tb在0.07～2.5的范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
