[发明专利]硅微粒的制造方法以及硅微粒的粒径控制方法有效
| 申请号： | 201180043160.9 | 申请日： | 2011-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN103097292A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 佐藤井一;宫野真理;远藤茂树;椎野修;大野信吾;吉川雅人 | 申请（专利权）人： | 株式会社普利司通 |
| 主分类号： | C01B33/025 | 分类号： | C01B33/025 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的和课题在于，提供一种能够有效地制造粒径均一的硅微粒的硅微粒的制造方法以及硅微粒的粒径控制方法。并且，本发明的特征在于，通过在蚀刻溶液中浸渍硅颗粒、用具有比所述硅颗粒的带隙能量更大的能量的光照射浸渍在所述蚀刻溶液中的所述硅颗粒，从而控制粒径、并且制造比所述硅颗粒的粒径更小的硅微粒。 | ||
| 搜索关键词： | 微粒 制造 方法 以及 粒径 控制 | ||
【主权项】：
一种硅微粒的制造方法，其具备准备硅颗粒的准备工序和在蚀刻溶液中浸渍所述硅颗粒的蚀刻工序，制造粒径比所述硅颗粒更小的硅微粒，在所述蚀刻工序中，用具有比所述硅颗粒的带隙能量更大的能量的光来照射浸渍在所述蚀刻溶液中的所述硅颗粒。
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