[发明专利]用于反克隆的非易失性存储器及其验证方法有效
| 申请号： | 201180043334.1 | 申请日： | 2011-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN103098063A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 姜甫暻;高祯完;李炳来 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G06F21/10 | 分类号： | G06F21/10;G06F21/34;H04L9/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 李琳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供用于反克隆的非易失性存储器。非易失性存储器包括：增强的媒体标识（EMID）区域，其位于非易失性存储器的特定区域，并且存储用于识别非易失性存储器的EMID；EMID编码器，用于通过以任意值进行预先设定的操作来修改EMID。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 克隆 非易失性存储器 及其 验证 方法 | ||
【主权项】：
一种用于反克隆的非易失性存储器，包括：增强的媒体标识（EMID）区域，其位于所述非易失性存储器的特定区域，并且存储用于识别所述非易失性存储器的EMID；以及EMID编码器，用于通过以任意值进行预先设定的操作来修改EMID。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180043334.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
