[发明专利]III族氮化物半导体发光元件的制造方法及III族氮化物半导体发光元件无效
| 申请号： | 201180043474.9 | 申请日： | 2011-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103098241A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 吉本晋;三桥史典 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L21/28;H01L33/36 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨海荣;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有良好欧姆接触的III族氮化物半导体发光元件。该III族氮化物半导体发光元件中，接合JC相对于与氮化镓基半导体层的c轴正交的基准面倾斜，电极与该氮化镓基半导体层的半极性面接合。但是，该氮化镓基半导体层中的氧浓度使得生长为用以形成接合JC的氮化镓基半导体层中的氧浓度被降低。因电极与该氮化镓基半导体层的半极性面形成接合，因此金属/半导体接合显示出良好的欧姆特性。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物半导体发光元件的制造方法，用于制造III族氮化物半导体发光元件，其中，所述方法包括：在真空腔室内，以摄氏300度以上的衬底温度，在不进行III族氮化物半导体的成膜的情况下将外延衬底曝露在镓气氛中的工序；和在所述真空腔室内，在所述外延衬底的主面上形成用于电极的导电膜，从而形成衬底产物的工序，并且所述外延衬底的所述主面具有包含氮化镓基半导体的半极性，所述外延衬底包含含有III族氮化物半导体的有源层。
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