[发明专利]用于将转换介质施加到光电子半导体芯片上的方法以及光电子器件有效
| 申请号： | 201180043749.9 | 申请日： | 2011-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN103098244A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 拉尔夫·瓦格纳 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;田军锋 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在方法的至少一个实施方式中，所述方法用于将转换介质（3）施加到光电子半导体芯片（2）上。所述方法包括下述步骤：提供光电子半导体芯片（2）；提供所述转换介质（3），其中所述转换介质（2）安置在载体（4）上；设置所述转换介质（3），使得其具有到所述半导体芯片（2）>0的距离（D）；以及借助于用脉冲激光辐射（6）辐射和加热所述转换介质（3）的吸收组分（36）和/或位于所述转换介质（3）和所述载体（4）之间的剥离层（56），使所述转换介质（3）从所述载体（4）处剥离并且将其施加到所述半导体芯片（2）上，所述脉冲激光辐射穿过所述载体（4）。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 转换 介质 施加 光电子 半导体 芯片 方法 以及 器件 | ||
【主权项】：
用于将转换介质（3）施加到光电子半导体芯片（2）上的方法，具有下述步骤：‑提供具有辐射主面（20）的所述光电子半导体芯片（2）；‑提供所述转换介质（3），其中所述转换介质（3）安置在载体（4）的载体主面（40）上；‑设置所述转换介质（3），使得其朝向所述辐射主面（20）并且具有到所述辐射主面（20）的距离（D）；以及‑借助于用脉冲激光辐射（6）辐射和加热所述转换介质（3）的吸收组分（36）和/或位于所述转换介质（3）和所述载体（4）之间的剥离层（5），使所述转换介质（3）从所述载体（4）处剥离并且将其施加到所述辐射主面（20）上，所述脉冲激光辐射穿过所述载体（4）。
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