[发明专利]布线结构以及显示装置在审
| 申请号： | 201180044003.X | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN103098220A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 前田刚彰;钉宫敏洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 龚敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种布线结构，其在有机EL显示器或液晶显示器等显示装置中，能够使氧化物半导体层与构成例如源电极、漏电极的金属膜形成稳定的界面。本发明涉及一种布线结构，其是在基板上从基板侧起依次具有薄膜晶体管的半导体层和金属布线膜、并且在半导体层与金属布线膜之间具有阻挡层的布线结构，其中，上述半导体层包含氧化物半导体，上述阻挡层包含含有TiOx(x为1.0以上且2.0以下)的Ti氧化膜，且上述Ti氧化膜与上述半导体层直接连接，上述氧化物半导体包含含有选自In、Ga、Zn及Sn中的至少一种元素的氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 布线 结构 以及 显示装置 | ||
【主权项】：
一种布线结构，其特征在于，其是在基板上从基板侧起依次具有薄膜晶体管的半导体层和金属布线膜、并且在所述半导体层与所述金属布线膜之间具有阻挡层的布线结构，所述半导体层包含氧化物半导体，所述阻挡层包含含有TiOx的Ti氧化膜，且所述Ti氧化膜与所述半导体层直接连接，其中，x为1.0以上且2.0以下，所述氧化物半导体包含含有选自In、Ga、Zn及Sn中的至少一种元素的氧化物。
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