[发明专利]传感器有效
| 申请号： | 201180044814.X | 申请日： | 2011-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN103119397A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | C·P·费尔 | 申请（专利权）人： | 大西洋惯性系统有限公司 |
| 主分类号： | G01C19/5684 | 分类号： | G01C19/5684 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 肖冰滨;陈潇潇 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 描述了一种具有环形或箍形共振器（1）的硅MEMS陀螺仪。所述共振器（1）通过深度反应离子蚀刻技术形成，并且在所述共振器（1）的中轴（4）的任意一侧被形成有插槽（5），该插槽（5）在所述共振器（1）的圆周周围延伸。所述插槽（5）改进所述陀螺仪的品质因子Q而不影响所述共振器的共振频率。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 | ||
【主权项】：
一种具有高品质因子（Q）的传感器，该传感器包括：振动结构，该振动结构包括实质上是平面的环形或者箍形振动共振器1，所述共振器1具有在中轴4周围延伸的内圆周和外圆周2、3；驱动装置12、13，所述驱动装置12、13用于引起所述共振器1振动；多个支撑装置10、11，所述多个支撑装置10、11用于支撑所述共振器1，以及用于允许所述共振器1响应于所述驱动装置12、13而在实质上无阻尼振荡模态下振动，例如以准许所述共振器1响应于所述传感器的转向速率而相对于所述支撑装置10、11移动，其中，所述共振器1包括向所述中轴4的内部径向放置的第一插槽串5a，以及向所述共振器1的所述中轴4的外部径向放置的第二插槽串5b，所述插槽串5a、5b相对于所述共振器1的所述中轴4被同中心地放置，以使所述插槽5的放置调整所述共振器1上的热弛豫路径长度，而不影响所述共振器1的共振频率，从而增加所述共振器1的所述Q因子。
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