[发明专利]自旋扭矩转移存储器单元结构及方法有效

专利信息
申请号: 201180044874.1 申请日: 2011-09-13
公开(公告)号: CN103119654A 公开(公告)日: 2013-05-22
发明(设计)人: 斯蒂芬·J·克拉梅尔;居尔泰·S·桑德胡 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C11/16 分类号: G11C11/16
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 宋献涛
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 本文中描述自旋扭矩转移STT存储器单元结构及方法。一个或一个以上STT存储器单元结构包含:隧穿势垒材料,其定位于铁磁性存储材料与和反铁磁性材料接触的钉扎铁磁性材料之间;及多铁性材料,其与所述铁磁性存储材料接触,其中所述反铁磁性材料、所述铁磁性存储材料及所述钉扎铁磁性材料位于第一电极与第二电极之间。
搜索关键词: 自旋 扭矩 转移 存储器 单元 结构 方法
【主权项】:
一种自旋扭矩转移存储器单元结构,其包括:隧穿势垒材料,其定位于铁磁性存储材料与和反铁磁性材料接触的钉扎铁磁性材料之间;及多铁性材料,其与所述铁磁性存储材料接触;其中所述反铁磁性材料、所述铁磁性存储材料及所述钉扎铁磁性材料位于第一电极与第二电极之间。
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