[发明专利]膜电容器用膜和膜电容器有效
申请号: | 201180045116.1 | 申请日: | 2011-09-21 |
公开(公告)号: | CN103119671B | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
发明(设计)人: | 高明天;向井惠吏;小松信之;横谷幸治;立道麻有子;英翔;北原隆宏;川部琢磨 | 申请(专利权)人: | 大金工业株式会社 |
主分类号: | H01G4/18 | 分类号: | H01G4/18;C08F214/26;C08K3/20;C08L27/18;C08L101/00;H01G4/20 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 丁香兰;张志楠 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供可维持偏二氟乙烯系树脂的高介电常数同时可改善电绝缘性、特别是高温下的电学特性的膜电容器用膜。本发明的膜电容器用膜含有四氟乙烯系树脂(a1)作为成膜树脂(A),该四氟乙烯系树脂(a1)含有偏二氟乙烯单元和四氟乙烯单元,该偏二氟乙烯单元和四氟乙烯单元以偏二氟乙烯单元/四氟乙烯单元(摩尔%比)计为0/100~49/51的范围。 | ||
搜索关键词: | 电容 器用 电容器 | ||
【主权项】:
一种膜电容器用膜,其中,该膜电容器用膜含有四氟乙烯系树脂a1作为成膜树脂A,该四氟乙烯系树脂a1含有偏二氟乙烯单元和四氟乙烯单元,偏二氟乙烯单元/四氟乙烯单元以摩尔%比计为0/100~49/51,所述四氟乙烯系树脂a1进一步含有烯键式不饱和单体单元,所述四氟乙烯系树脂a1含有55.0摩尔%~90.0摩尔%的四氟乙烯单元、9.2摩尔%~44.2摩尔%的偏二氟乙烯单元、以及0.1摩尔%~0.8摩尔%的式(2)所表示的烯键式不饱和单体单元:CF2=CF‑ORf1 (2)式(2)中,Rf1是碳原子数为1~3的烷基或氟代烷基。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大金工业株式会社,未经大金工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180045116.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:晶体管的制造方法
- 下一篇:辅助购买的方法、装置和系统