[发明专利]改良半导体材料微结构的技术在审
| 申请号： | 201180045499.2 | 申请日： | 2011-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN103119207A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | G·B·库克;P·马宗达;M·D·帕蒂尔;田丽莉;N·文卡特拉曼 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B11/00;C30B13/14;C30B13/24;C30B28/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 项丹 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种对半导体材料片进行处理的方法，包括：在半导体材料片的各主表面上形成可烧结的第一层；在各所述第一层上形成第二层，以形成颗粒涂覆的半导体片；将所述颗粒涂覆的片材放在末端构件之间；将所述颗粒涂覆的片材加热至能够至少部分烧结第一层且至少部分熔化半导体材料的有效温度；以及冷却所述颗粒涂覆的片材，使半导体材料固化并形成经过处理的半导体材料片。 | ||
| 搜索关键词： | 改良 半导体材料 微结构 技术 | ||
【主权项】：
一种用于处理半导体材料片的方法，该方法包括：在半导体材料片的各主表面上形成可烧结的第一层；在各所述第一层上形成第二层，以形成颗粒涂覆的半导体片；将所述颗粒涂覆的片放在末端构件之间；将所述颗粒涂覆的片加热至能够至少部分烧结第一层且至少部分熔化半导体材料的有效温度；以及冷却所述颗粒涂覆的片，使半导体材料固化并形成经过处理的半导体材料片。
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